SSM0140SPT 时间：2025/8/21 5:24:42 阅读：2

SSM0140SPT是一款由Advanced Power Technology（简称APT，现属于Microchip Technology）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高频开关应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动和电池充电器等应用。SSM0140SPT在设计上优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，使其在高效率电源转换系统中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：40V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：140A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.7毫欧（Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：180W
　　工作温度范围：-55℃～175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SSM0140SPT具有极低的导通电阻，通常在Vgs=10V时Rds(on)不超过5.7毫欧，这使得在大电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，优化了电荷特性和跨导性能，从而提升了高频开关应用中的表现。
　　此外，该器件具有高电流容量和良好的热稳定性，能够在高负载条件下长时间运行而不会出现明显的性能退化。其TO-252（DPAK）封装形式支持良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电路设计中使用。
　　SSM0140SPT的栅极驱动电压范围为4.5V至10V，兼容常见的逻辑电平驱动电路，便于与PWM控制器或微处理器配合使用。同时，其具备较高的雪崩能量承受能力，能够在非正常工作条件下提供额外的保护机制，提升系统的可靠性。
　　该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss）和反向恢复电荷（Qrr），有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），适用于高频率开关电源、同步整流和负载开关等应用。

应用

SSM0140SPT广泛应用于各种高功率和高频开关电源系统中，例如同步降压（Buck）和升压（Boost）转换器、DC-DC电源模块、服务器和电信设备的电源管理系统、电池充电与管理系统（如电动汽车和储能系统）、电机驱动和负载开关控制电路。
　　其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换系统，如48V至12V转换器、ORing控制器、热插拔电源模块和高功率LED驱动电路。
　　此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统、光伏逆变器以及各种需要高可靠性和高效率的功率电子设备中。