时间:2025/12/29 14:34:06
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SSH8N80是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、功率转换和电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性,适合在高效率和高功率密度的电路设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):8A(连续)
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.0Ω(最大1.5Ω)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220、D2PAK(取决于具体制造商)
SSH8N80具有以下关键特性:
1. 高耐压能力:800V的漏源击穿电压(Vds)使其适用于高电压应用,例如开关电源(SMPS)、LED驱动器和电机控制电路。
2. 低导通电阻:Rds(on)的典型值为1.0Ω,降低了导通损耗,提高了能效。
3. 高电流能力:连续漏极电流为8A,适用于中高功率应用。
4. 快速开关特性:该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg),从而实现了快速的开关速度,适用于高频操作。
5. 热稳定性好:能够承受较高的工作温度,确保在恶劣环境下稳定运行。
6. 高可靠性:采用了先进的制造工艺,保证了器件在长期运行中的稳定性和可靠性。
7. 封装多样化:提供TO-220和D2PAK等封装选项,便于安装和散热设计。
SSH8N80适用于多种功率电子应用,包括:
1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC和DC/DC转换器,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:在电机控制和H桥电路中,作为功率开关使用。
3. LED照明驱动器:用于恒流驱动电路,提供稳定的电流输出。
4. 逆变器和变频器:在太阳能逆变器和工业变频器中作为主开关元件。
5. 电源适配器:用于笔记本电脑、平板电脑等设备的电源适配器中。
6. 电池管理系统:用于电池充放电控制电路中,提供高可靠性的开关功能。
7. 家用电器:如电磁炉、微波炉等需要高耐压功率开关的场合。
FQP8N80C, IRF8N80C, STP8NM80