SSH60N10 时间：2025/12/29 13:55:36 阅读：18

SSH60N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，由著名半导体厂商生产，广泛应用于高功率、高效率的电源转换系统中。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，使其成为工业电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等应用的理想选择。SSH60N10封装形式通常为TO-220或D2PAK，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：60A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：约12mΩ（典型值）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：TO-220、D2PAK
　　功率耗散（PD）：160W（TO-220封装）

特性

SSH60N10具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低，约为12mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为60A，适用于大功率负载。此外，SSH60N10采用了先进的沟槽式栅极结构技术，提供了良好的开关性能和热稳定性，使其在高负载条件下也能保持可靠运行。
　　该器件还具备良好的热保护性能，能够在高温环境下正常工作，并且具有较高的耐用性和稳定性，减少了因温度升高而导致的性能下降。SSH60N10的封装设计优化了散热性能，例如TO-220和D2PAK封装形式都便于与散热片或PCB热沉连接，从而有效控制温度上升，延长器件使用寿命。
　　此外，SSH60N10的栅极驱动电压范围宽，通常在10V至20V之间，允许使用标准MOSFET驱动器进行控制。这使得它能够与多种控制电路兼容，适用于各种电源管理应用。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。

应用

SSH60N10广泛应用于多种高功率电子系统中，例如工业电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动工具和电动汽车的电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种功率开关电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
　　在电源管理领域，SSH60N10常用于同步整流、负载开关和电源分配系统。在电动工具和汽车电子中，它用于控制大功率电机和电池充放电电路。此外，该MOSFET也常用于太阳能逆变器、储能系统和服务器电源等对效率和稳定性要求较高的应用场合。