类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID@25°C）：12A
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-3P

SSH12N100具备多项优良的电气特性和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（1000V VDS）使得该器件适用于高电压电源系统，如工业电源和高压直流转换器。
　　其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），通常在1.2Ω以下，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，SSH12N100的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速的开关动作，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性，采用TO-3P封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。
　　另外，SSH12N100的可靠性高，具有较长的使用寿命，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　最后，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提升系统的安全性。

SSH12N100广泛应用于需要高电压、高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备、电源适配器以及LED照明电源等。
　　在开关电源中，SSH12N100用于主开关元件，负责高效的能量转换和稳定的输出电压控制。
　　在电机驱动和逆变器系统中，该MOSFET用于实现高频PWM控制，提供快速响应和高效能输出。
　　此外，该器件也可用于高压DC-DC转换器和电池管理系统中，确保高电压系统的稳定性和安全性。
　　由于其高可靠性和耐高压特性，SSH12N100也适用于家电、工业控制、通信设备等领域的电源模块设计。

IRF840、STP12N100、2SK2142、FQA12N100