型号：MBG967WBS-M-ASERE1
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：WSLP（Wafer-level Package）
　　通道数：单通道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：4.2A
　　脉冲漏极电流IDM：12A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：23mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：28mΩ
　　栅极电荷Qg（典型值）：6.8nC
　　输入电容Ciss（典型值）：330pF
　　开启延迟时间td(on)：8ns
　　上升时间tr：15ns
　　关断延迟时间td(off)：18ns
　　下降时间tf：10ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　热阻RθJA：约150°C/W（依PCB布局而定）
　　极性：标准极性（源极接地配置）
　　安装方式：表面贴装

MBG967WBS-M-ASERE1具备多项优异的电气与物理特性，使其成为高性能功率管理应用的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下，有助于提高整体系统效率并减少发热。在VGS = 10V时，RDS(on)最大仅为23mΩ，而在驱动电压为4.5V的低压逻辑电平下仍能保持28mΩ的低阻值，说明该器件兼容3.3V或5V驱动电路，无需额外的电平转换即可直接由微控制器或PWM控制器驱动。
　　其次，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg典型值6.8nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低驱动电路的负担，并提升开关速度。结合较小的输入电容（Ciss = 330pF），该器件在DC-DC转换器等高频拓扑中可实现快速响应和高效切换，有效减少开关损耗，提高电源转换效率。
　　再者，MBG967WBS-M-ASERE1采用WSLP超小型晶圆级封装，尺寸极为紧凑，适合高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严苛的产品中。该封装还具备良好的热传导性能，通过优化的焊盘设计可将热量迅速传递至PCB，增强散热能力。
　　此外，该器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C），可在恶劣温度环境下稳定运行，适用于工业级和消费级多种应用场景。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了在续流过程中产生的反向恢复电荷，进一步提升了系统效率。最后，该器件符合RoHS指令，不含铅和有害物质，支持环保生产流程，满足现代电子产品对可持续发展的要求。

MBG967WBS-M-ASERE1广泛应用于多种中小型功率电子系统中，尤其适合需要高效率、小体积和低功耗特性的场合。其主要应用领域包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如在智能手机和平板电脑中用于控制电池到主处理器或其他功能模块的供电通断，实现节能和系统保护。此外，它常用于同步整流型DC-DC降压转换器（Buck Converter）中作为上管或下管，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率，特别是在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　在LED背光驱动电路中，该MOSFET可用于调节电流路径，实现精准的亮度控制。同时，由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也适用于工业传感器模块、IoT终端节点和无线充电接收端的电源管理单元。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电回路的开关控制，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。
　　此外，该器件还可用于电机驱动电路中的低功率H桥结构，驱动微型直流电机或步进电机，常见于智能家电、无人机舵机和便携医疗设备中。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化SMT生产线，提高了制造效率和产品一致性。总体而言，MBG967WBS-M-ASERE1凭借其综合性能优势，在消费电子、工业控制和新兴物联网设备中均有广泛应用前景。

DMG2305UX-7
　　FDS6680A
　　SI2305DDS-T1-E3
　　AO3400A
　　BSS138K