型号：30R090UPR
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：90 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：120 A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：360 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：3.0 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：4.5 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：4200 pF @ VDS=45V
　　输出电容（Coss）：1200 pF @ VDS=45V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.2 V
　　功耗（PD）：125 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK? SO-8

30R090UPR 具备卓越的电气特性和热性能，使其成为高性能电源系统中的理想选择。其最显著的特点是极低的导通电阻，在 VGS = 10 V 条件下，RDS(on) 最大仅为 3.0 mΩ，这大幅降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。即使在较低的驱动电压（如 4.5 V）下，其 RDS(on) 也仅上升至 4.5 mΩ，保证了在低压控制逻辑下的良好表现，适用于由 PWM 控制器直接驱动的应用场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺，优化了载流子迁移路径，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流密度。同时，其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为 75 nC，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关效率。
　　30R090UPR 的封装采用 PowerPAK? SO-8，这种无引线表面贴装封装不仅节省 PCB 空间，还通过底部散热焊盘显著提升了热传导性能，使得器件在高功率密度条件下仍能保持较低的工作温度。其出色的热阻特性（RθJC ≈ 1.0 °C/W）允许在不增加额外散热器的情况下处理较大的持续电流。此外，该器件具有较高的雪崩耐量和坚固的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和浪涌电流，增强了系统在异常工况下的可靠性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 28 ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了开关节点的电压尖峰和电磁干扰（EMI），特别适用于同步整流拓扑结构。
　　该 MOSFET 还具备良好的长期稳定性与一致性，经过严格的生产测试和质量控制流程，确保每批次产品的参数分布集中且可靠。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。此外，器件符合 JEDEC 标准的湿度敏感等级（MSL3），便于自动化贴片生产。总体而言，30R090UPR 凭借其低 RDS(on)、高电流能力、优异的热管理和高频响应特性，成为现代高效开关电源设计中的关键元件。

30R090UPR 广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。其主要应用场景包括同步降压（Buck）转换器，常用于 CPU、GPU 和 FPGA 等高性能处理器的核心供电（VRM），在此类应用中，该器件作为下管同步整流器使用，可显著降低导通损耗，提高转换效率。此外，它也适用于异步降压电路中的主开关管，尤其是在输入电压较高（如 48 V 系统）但输出电流大的场合。在 DC-DC 模块电源和 POL（Point-of-Load）转换器中，30R090UPR 因其小型化封装和高电流能力而备受青睐，有助于实现更紧凑的设计。
　　该器件同样适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源模块以及工业电机驱动中的高端或低端开关。在负载开关和热插拔控制器中，其低导通电阻可减少压降和发热，提升系统能效。在电信和数据中心电源架构中，30R090UPR 可用于中间总线转换器（IBC）或二次侧整流，支持高电流输出需求。此外，其快速开关能力和良好的 EMI 特性也使其适用于 LED 驱动电源、太阳能逆变器辅助电路以及汽车电子中的 48V 轻混系统电源管理模块。由于其符合 RoHS 和无卤素要求，也可用于对环保有严格要求的消费类电子产品中。

SiS9090DN
　　IRLHS6290
　　CSD19352Q5