时间：2025/7/16 16:02:35
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SSG55N60N是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该器件通常用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关的电力电子应用中。其设计特点在于高击穿电压和低条件下工作。
该型号由Semikron International生产，具有较高的耐用性和可靠性，适用于工业及消费类电子产品中的功率转换电路。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：55A
栅极阈值电压：4V 至 6V
导通电阻（Rds(on)）：130mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：275W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
SSG55N60N采用TO-247封装形式，具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），可承受高电压环境，适用于多种工业场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用，降低开关损耗。
4. 热稳定性强，能在高温环境下长期可靠运行。
5. 栅极电荷小，驱动简单且功耗低。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
SSG55N60N主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。
2. 工业电机驱动和伺服系统。
3. 太阳能逆变器和风力发电设备。
4. 电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率控制单元。
5. 不间断电源（UPS）和电池管理系统。
6. 各种高压、大电流开关电路设计。
STGW55N60F, IRFP460, FDP55N60E
