时间：2025/6/19 4:21:51
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FS21F105Z250ECG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
FS21F105Z250ECG 为 N 沟道增强型场效应晶体管，支持较高的工作电压，并具备强大的电流处理能力。其封装形式为 TO-247，适合需要高散热性能的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源极电压（Vds）：105V
最大栅源极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：250A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷（Qg）：36nC
开关时间：开通延迟时间（td(on)）为 80ns，关断延迟时间（td(off)）为 35ns
功耗：典型值 250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FS21F105Z250ECG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流和电压，适用于工业级和汽车级应用。
3. 快速的开关性能，确保在高频应用中的高效表现。
4. 出色的热稳定性，能够有效应对高温工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 具备短路保护和热关断功能，增强了器件的安全性和使用寿命。
7. TO-247 封装设计，便于安装和散热管理。
FS21F105Z250ECG 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
2. 工业电机驱动和伺服控制。
3. 新能源汽车中的逆变器和电池管理系统 (BMS)。
4. 太阳能微逆变器和储能设备。
5. 高效 DC-DC 转换器及负载点 (POL) 转换。
6. 各类大功率电子设备的开关和调节电路。
FS21F100Z250ECG, IRFP260N, STP250N100E
