SSF9N90A 时间：2025/8/25 5:51:45 阅读：4

SSF9N90A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率和高电压场景。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻和优异的开关性能，使其在高效率电源转换系统中表现出色。SSF9N90A广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：9A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

SSF9N90A采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件的高耐压能力（900V）使其适用于高电压输入的电源系统，例如AC-DC电源适配器和离线式开关电源。此外，其栅极氧化层设计增强了器件的稳定性和可靠性，适用于高温环境下的长期运行。
　　该MOSFET具备快速开关特性，降低了开关过程中的能量损耗，有助于提升系统的工作频率和效率。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）也优化了高频应用中的性能。此外，SSF9N90A的封装设计有助于散热，提高了器件在高功率负载下的稳定性。在过载或短路情况下，该器件具备一定的抗过载能力，能够提供一定的保护机制。

应用

SSF9N90A适用于多种高功率和高电压电子系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。在工业自动化和电力电子设备中，该器件常用于功率因数校正（PFC）电路、高压直流输电以及电源模块设计。由于其高可靠性和优异的导热性能，SSF9N90A也广泛用于消费类电子产品中的电源管理模块，如电视电源、LED照明驱动电源等。