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SSF6N70A 发布时间 时间:2025/8/25 7:17:35 查看 阅读:15

SSF6N70A是一款高压、大电流的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及高电压开关电路中。该器件采用先进的硅工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力,能够在高电压环境下高效运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):700V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  最大漏极电流(ID):6A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):约1.8Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220、TO-263(D2PAK)等

特性

SSF6N70A具有出色的导通性能和开关特性,其主要特性包括低导通电阻,这有助于降低在导通状态下的功率损耗,提高系统效率;同时,它具备较高的耐压能力,漏源极耐压达到700V,适合用于高压应用环境。
  该MOSFET采用了先进的硅基技术,优化了器件的开关速度,从而减少了开关过程中的能量损耗,提高了整体系统的能效。此外,其热稳定性良好,能够在高负载条件下维持稳定运行,具备较强的过热保护能力。
  SSF6N70A的栅极驱动特性较为友好,适用于常见的驱动电路设计,且具备良好的抗干扰能力。该器件还具有较高的可靠性和长寿命,适合用于工业级和汽车级电子系统中,如开关电源、逆变器、电机驱动器等。
  此外,SSF6N70A通常采用TO-220或D2PAK等标准封装形式,便于散热和安装,适用于各种高功率应用场景。

应用

SSF6N70A主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的电力电子系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)中的功率开关元件、DC-DC转换器中的主开关、逆变器和UPS(不间断电源)系统中的功率控制模块。
  此外,它还可用于电机控制电路中,如无刷直流电机(BLDC)的驱动电路,以及家用电器中的电源管理模块,如电磁炉、变频空调等。
  由于其具备较高的电压耐受能力和良好的导通性能,SSF6N70A也常用于LED照明驱动、工业自动化控制、智能电网设备以及新能源系统(如太阳能逆变器)等高可靠性应用场景。

替代型号

SPW6N60C3、FQA6N70、STF6N70DM2、IRFBC40

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SSF6N70A参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压700 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)1.8 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-3PF
  • 下降时间26 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散85 W
  • 上升时间23 ns
  • 典型关闭延迟时间76 ns