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FDT3N40TF 发布时间 时间:2023/12/19 17:55:57 查看 阅读:165

产品种类:各种MOSFET

目录

概述

制造商:FairchildSemiconductor
产品种类:各种MOSFET
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
封装/箱体:SOT-223
电阻汲极/源极RDS(导通):2.8Ohms
汲极/源极击穿电压:400V
闸/源击穿电压:30V
漏极连续电流:2A
功率耗散:2W
正向跨导gFS(最大值/最小值):2S
栅极电荷Qg:4.5nC
安装风格:SMD/SMT

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FDT3N40TF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 欧姆 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds225pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)