类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

SSD55N03具备多项优良特性，适用于高要求的功率应用。首先，其极低的导通电阻（5.5mΩ）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，特别适用于高电流应用如DC-DC转换器和同步整流电路。
　　其次，该MOSFET的最大漏极电流可达100A，能够在高负载条件下稳定运行，满足高性能电源管理的需求。其漏源电压为30V，适用于低压大电流系统，如服务器电源、通信设备和电池管理系统。
　　SSD55N03采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性和可靠性。该封装形式也便于PCB布局和自动化装配，适合大批量生产和应用。
　　此外，SSD55N03具有高栅极电压耐受能力（±20V），增强了器件在高电压波动环境中的稳定性与安全性。其热稳定性优秀，能够在较宽的温度范围内（-55°C至+175°C）正常工作，适应多种复杂的应用环境。
　　综合来看，SSD55N03凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优异的热性能和可靠性，成为高效电源转换和功率管理领域的理想选择。

SSD55N03广泛应用于各类高功率和高效率的电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、服务器电源、通信电源模块以及各种高电流电源管理电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计中。例如，在同步整流电路中，SSD55N03能够显著降低导通损耗，提高整流效率；在电池管理系统中，它可作为高侧或低侧开关，用于控制电池充放电过程；在服务器和通信设备的电源模块中，SSD55N03可用于构建高效率的多相供电系统，以满足高性能处理器和芯片组的供电需求。此外，该器件也适用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的功率控制应用。

Si4410BDY, IRF3710, FDP55N03, STP55NF03