SSD04N60SL 时间：2025/12/29 15:17:53 阅读：16

SSD04N60SL是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。该器件设计用于高效率、高频率开关应用，具备低导通电阻和高耐压特性，适合用于电源转换、电机控制、LED驱动及工业自动化设备等场合。SSD04N60SL采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.8Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

SSD04N60SL具备多项优良特性，首先其600V的高漏源耐压能力，使其适用于高压电源系统，如AC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。其次，其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计与集成。TO-220封装具备良好的散热性能，可有效降低温升，提高器件在高功率应用中的可靠性。
　　该器件还具备快速开关特性，支持高频工作，适用于开关电源（SMPS）等需要高频率操作的应用。同时，其内部结构优化，减少了寄生电容，提高了开关速度并降低了开关损耗。此外，SSD04N60SL具备较强的抗过载能力，可在短时间承受较高的电流冲击，适用于电机驱动和负载开关等场合。