时间：2025/9/23 17:19:07
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ASMF-PWG2-N45D0是一款由Advanced Semiconductor, Inc.（或相关制造商）推出的功率MOSFET器件，主要用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件基于先进的平面栅极（Planar Gate）技术制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，适用于多种中低压直流-直流转换系统。ASMF-PWG2-N45D0的命名结构通常表明其为N沟道增强型MOSFET，其中'N45D0'可能代表其击穿电压等级约为45V，适合在同步整流、负载开关、电机驱动及电池供电设备中使用。该器件采用小型化表面贴装封装（如PowerPAK SO-8或类似），有助于提高PCB布局密度并优化热性能。作为一款工业级产品，ASMF-PWG2-N45D0设计用于在宽温度范围内稳定工作，并具备良好的抗雪崩能力和可靠性，满足AEC-Q101或其他工业标准要求。
型号：ASMF-PWG2-N45D0
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：45V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：约16A（@Tc=25°C）
脉冲漏极电流(Id_pulse)：约64A
导通电阻(Rds(on))：典型值14mΩ @ Vgs=10V，最大值17mΩ @ Vgs=10V
阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
输入电容(Ciss)：约1200pF @ Vds=25V
输出电容(Coss)：约400pF
反向恢复时间(trr)：约25ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装形式：PowerPAK SO-8 或 SOIC-8 封装
ASMF-PWG2-N45D0具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与适中的栅极电荷之间的良好折衷，使得在高频开关应用中能有效降低传导损耗与开关损耗。该器件采用先进的平面工艺技术，确保了批次一致性与长期可靠性。其Rds(on)仅为17mΩ（最大值），在45V耐压等级的N沟道MOSFET中属于较低水平，有助于提升电源系统的整体效率，特别是在大电流输出场景下表现突出。
该器件的栅极结构经过优化，具有较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），从而减少了驱动电路所需的功耗，并降低了因米勒效应引起的误触发风险。同时，其较高的栅源电压容限（±20V）增强了在瞬态工况下的鲁棒性，避免因栅极过压导致的器件损坏。
ASMF-PWG2-N45D0还具备出色的热性能，得益于其封装设计中的裸露焊盘（exposed pad）结构，能够通过PCB有效散热，实现较低的热阻（θjc）。这使其在高功率密度设计中仍可维持安全的工作结温。此外，该器件支持双面冷却布局，进一步提升了热管理灵活性。
在可靠性方面，该MOSFET通过了严格的应力测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环等，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。其内置体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的应用场合，例如同步整流拓扑。总体而言，ASMF-PWG2-N45D0是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中压功率MOSFET解决方案。
ASMF-PWG2-N45D0广泛应用于各类中低电压功率转换系统。常见用途包括同步降压变换器（Buck Converter）中的下管或上管，尤其适用于笔记本电脑、服务器主板、显卡供电模块等多相VRM设计。由于其低Rds(on)和良好开关特性，也常用于DC-DC电源模块、POL（Point-of-Load）转换器以及电信设备电源单元。
在电池管理系统（BMS）和便携式电子产品中，该器件可作为负载开关或热插拔控制元件，提供快速响应和低静态功耗。其高电流承载能力使其适用于电动工具、无人机电调以及小型电机驱动电路。
此外，在LED驱动电源、USB PD快充适配器和平板显示电源中，ASMF-PWG2-N45D0可用于同步整流以替代肖特基二极管，显著提升能效并减少发热。在工业自动化控制系统中，该器件也可用于继电器驱动、电磁阀控制等功率切换任务。
得益于其符合RoHS标准且具备绿色封装特性，ASMF-PWG2-N45D0适用于对环保要求较高的消费类电子和工业设备。同时，其AEC-Q101兼容性（若适用）也使其可拓展至汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电等非主驱应用场景。
SiSS106DN-T1-GE3
