SSC8013GS6是一款高性能的MOSFET晶体管,采用SOT-23封装形式。该器件主要应用于低压、低功耗电路中,适用于开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等场景。SSC8013GS6以其低导通电阻和高开关速度著称,能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在满足便携式设备和其他对空间要求较高的应用需求。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:1.3A
导通电阻:0.07Ω
总电荷:9nC
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOT-23
SSC8013GS6具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够减少传导损耗,提高整体能效。
2. 高速开关性能,确保在高频应用中表现出色。
3. 小巧的SOT-23封装节省了PCB空间,适合紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境下可靠运行。
5. 良好的热稳定性,即使在较高负载下也能保持稳定性能。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,无有害物质。
SSC8013GS6广泛应用于各类电子设备中,具体包括:
1. 开关电源中的同步整流和功率因数校正。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电管理。
5. 工业控制领域的小信号放大和驱动功能。
6. 电池管理系统中的开关组件。
SS8013, FDP5500, IRLML6402