SSA812SLT1G 时间：2025/8/13 7:20:27 阅读：26

SSA812SLT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高频率放大和开关应用，适用于消费类电子产品、工业控制和通信设备等领域。该器件采用SOT-23封装，便于在小型电路板上进行表面贴装。SSA812SLT1G具有良好的热稳定性和高频响应特性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

参数

类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

SSA812SLT1G具备优异的高频性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还提高了焊接可靠性和热管理效率。
　　此外，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高开关效率。在温度稳定性方面，SSA812SLT1G采用先进的工艺技术，确保了在极端环境温度下仍能保持稳定的性能表现。
　　它还具有良好的线性度和低噪声特性，使其非常适合用于音频放大和信号处理电路。同时，该晶体管的可靠性高，符合工业级质量标准，广泛应用于各种电子设备中。

应用

SSA812SLT1G常用于射频放大器、中频放大器、音频前置放大器、开关电路以及传感器接口电路中。由于其优异的高频性能和低噪声特性，该晶体管也常用于无线通信模块、射频识别（RFID）设备和便携式电子设备。此外，在工业控制系统中，SSA812SLT1G可用于驱动继电器、LED指示灯和其他小型负载。由于其SOT-23封装小巧且易于集成，该晶体管也适用于高密度PCB布局的设计。