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SS9012HBU 发布时间 时间:2025/6/30 18:38:59 查看 阅读:5

SS9012HBU是一款基于硅材料的高压主要应用于高频、高功率放大器以及开关电路中。该器件具有较高的电流增益和良好的频率特性,能够在高频条件下提供稳定的性能表现。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺,广泛应用于消费类电子、工业控制及通信设备等领域。
  SS9012HBU以其出色的电气参数和可靠性,在多种需要高性能输出驱动的应用场景中表现出色,例如音频功放、电机驱动和电源管理等。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:1.5A
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散:1W
  工作温度范围:-55℃~150℃
  过渡频率:400MHz
  存储结电容:4pF
  封装类型:TO-252

特性

SS9012HBU具备以下关键特性:
  1. 高电流增益,确保了较低的驱动需求和较高的效率。
  2. 优秀的频率响应能力,适用于高频信号处理场景。
  3. 耐压等级较高(80V),能够应对较为严苛的工作环境。
  4. 小型化封装设计(TO-252),便于表面贴装和自动化生产。
  5. 宽广的工作温度范围(-55℃至150℃),适应各类工业级应用需求。
  6. 稳定的热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。

应用

SS9012HBU在实际工程中有以下典型应用场景:
  1. 音频功率放大器中的输出级驱动。
  2. 工业控制设备中的开关元件。
  3. 各类通信设备中的高频放大电路。
  4. 电源管理系统中的负载开关或保护元件。
  5. 汽车电子中的信号调节与驱动电路。
  6. LED驱动电路中的电流调节元件。
  7. 电机控制中的驱动与保护电路组件。

替代型号

SS9012B, SS9012HB, SS8050

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SS9012HBU参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)144 @ 50mA,1V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装散装