类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：80A
　　最大漏源电压 (VDS)：45V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：0.015Ω @ VGS=10V
　　功率耗散 (PD)：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DPAK

SS8U45 MOSFET 具有极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其 RDS(on) 值在 VGS = 10V 时仅为 0.015Ω，这使得该器件非常适合用于需要高效能的电源管理系统。此外，该器件能够承受高达 80A 的连续漏极电流，具备强大的电流处理能力。
　　采用 DPAK 封装技术，SS8U45 提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于各种高功率密度设计。其封装设计有助于快速散热，从而提高器件的可靠性和使用寿命。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种电路环境中使用，例如开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制电路。
　　SS8U45 还具有良好的短路耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。其高耐压特性（最大 VDS 为 45V）使其适用于多种中压功率转换应用。该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，适应性强，适用于工业级和汽车电子系统。

SS8U45 MOSFET 主要用于需要高效率、高电流处理能力的电力电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关以及汽车电子中的功率控制模块。由于其高可靠性与低导通损耗，它在工业自动化设备和新能源系统（如太阳能逆变器）中也得到广泛应用。

IRF1404, STP80NF45, FDP8045RL