晶体管类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

SS8550D T/P 具有多种优异的电气特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其较高的增益带宽积（fT）达到250MHz，这使得该晶体管非常适合用于射频（RF）放大器、振荡器和其他高频电路。其次，它的电流增益（hFE）在不同等级下可以达到110至800，这使得用户可以根据具体需求选择合适的型号。此外，该晶体管具备较低的饱和电压（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。SS8550D T/P 的SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装焊接。
　　这款晶体管的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，能够在各种恶劣环境下稳定工作。其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极电流为100mA，适合中等功率放大和开关应用。此外，SS8550D T/P 的功耗限制为300mW，确保在小型封装下不会因过热而失效。这些特性使其成为一种可靠且灵活的晶体管解决方案，适用于多种电子设计场景。

SS8550D T/P 广泛应用于多种电子设备和系统中。其高频特性使其成为射频放大器、振荡器和混频器的理想选择。例如，在无线通信模块中，它可以用于信号放大和调制解调电路。在音频放大器中，SS8550D T/P 可以作为前置放大器或驱动级，提供良好的增益和低噪声性能。此外，它还常用于数字电路中的开关应用，如LED驱动、继电器控制和逻辑电平转换。在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号放大和执行器驱动。消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，SS8550D T/P 被用于各种信号处理和电源管理电路。其紧凑的封装形式和优异的电气性能，使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。

BC850, 2N3906, BC807, MMBT8550