晶体管类型：PNP
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作条件）
　　频率响应（fT）：100MHz

SS8550-G的主要特性包括其高电流增益，使得它在小信号放大应用中表现出色。该晶体管的SOT-23封装不仅节省空间，而且便于自动化生产，适用于高密度电路板设计。此外，其良好的高频响应特性使其适合用于射频（RF）和中频（IF）放大电路。
　　该晶体管还具有优异的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。其最大工作温度范围通常为-55°C至+150°C，这使得SS8550-G适用于恶劣环境条件下的电子设备。此外，该器件的低饱和压降特性有助于降低功耗并提高电路效率。
　　SS8550-G的开关特性也较为优异，其快速的开关响应能力使其在数字电路和脉冲电路中具有广泛应用。此外，该晶体管的制造工艺成熟，具有较高的可靠性和一致性，能够满足工业级和消费级产品的不同需求。

SS8550-G的应用领域非常广泛，包括但不限于以下方面：
　　在消费电子产品中，该晶体管常用于音频放大器、电源开关以及逻辑电路设计。例如，在便携式设备中，它可用于控制电池供电电路的通断，提高能源利用效率。
　　在工业控制领域，SS8550-G可以用于传感器信号放大、继电器驱动以及小型电机控制。其高增益和良好的稳定性使其在自动化控制系统中发挥重要作用。
　　此外，该晶体管还常用于通信设备中的射频信号放大和混频电路。其优异的高频性能使其适用于无线通信模块、射频识别（RFID）系统以及低噪声放大器设计。
　　在汽车电子系统中，SS8550-G由于其良好的温度适应性，可应用于车载传感器、车载娱乐系统以及电源管理系统。

BC850, 2N3906