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IXTF1N450 发布时间 时间:2025/6/22 10:50:08 查看 阅读:1

IXTF1N450是一款由IXYS公司生产的高压大功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。该器件采用先进的IGBT技术,具有低导通损耗和开关损耗的特点,适用于高电压、大电流的工业应用场景。IXTF1N450的工作电压为1200V,能够承受较高的反向电压,并且具备快速的开关速度和优异的热稳定性。
  该器件广泛应用于变频器、电机驱动、不间断电源(UPS)、焊接设备以及太阳能逆变器等电力电子领域。其封装形式通常为TO-247,便于散热设计,同时支持表面贴装和螺钉安装。

参数

集电极-发射极击穿电压:1200V
  连续集电极电流:45A
  峰值集电极电流:180A
  栅极-发射极开启电压:12V
  导通压降:2.0V(典型值)
  开关时间:ton=35ns,toff=95ns
  结温范围:-55℃至150℃
  热阻:0.5℃/W

特性

IXTF1N450的核心优势在于其高压能力与较低的导通损耗,从而提升了整体系统效率。它采用了场截止(Field Stop)技术,使器件在高频工作时表现出更少的开关损耗。
  此外,该IGBT拥有良好的短路耐量,能够在极端条件下维持数微秒的安全运行时间,增强了系统的可靠性。
  由于其出色的热性能和坚固的设计,IXTF1N450非常适合要求严格的工业应用环境。另外,它的封装形式提供了优秀的散热通道,有助于进一步提升器件的寿命和稳定性。

应用

IXTF1N450的主要应用场景包括但不限于以下领域:
  1. 工业变频器及电机驱动控制
  2. 太阳能光伏逆变器
  3. 不间断电源(UPS)系统
  4. 电动汽车充电站
  5. 焊接设备
  6. 高压直流输电(HVDC)系统
  这些应用需要高效、可靠的大功率开关器件来实现电能转换和控制功能。

替代型号

IXGH45N120P4, IRG4PC40UD

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IXTF1N450参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥806.60000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)4500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)900mA(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)85 欧姆 @ 50mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)6.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1730 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)160W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装ISOPLUS i4-PAC?
  • 封装/外壳i4-Pac?-5(3 引线)