类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-400mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.8Ω @ VGS = -4.5V；最大 3.8Ω @ VGS = -2.7V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

SS84BF 的主要特性之一是其低导通电阻，使其在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件支持较高的开关频率，适用于高频开关电源设计。此外，其采用的 SOT-23 封装结构小巧，适合空间受限的电路设计。SS84BF 的栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V 驱动，使其能够与多种控制 IC 或微控制器兼容。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和过载保护能力，适用于需要长期稳定运行的电源管理应用。
　　在制造工艺方面，SS84BF 采用了先进的沟槽技术，确保在低导通电阻和高开关性能之间取得良好平衡。此外，其静电放电（ESD）保护能力较强，有助于提升器件在实际应用中的可靠性。由于其封装尺寸小、性能稳定，SS84BF 也常用于便携式电子设备中的负载开关和电池管理电路中。

SS84BF 主要应用于低功耗电源管理系统、电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、USB 电源开关、电压调节模块、LED 驱动电路以及各种小型电源管理系统。由于其支持较低的栅极驱动电压，非常适合与低压微控制器或电源管理 IC 配合使用，实现高效的电源控制。在便携式电子产品中，该器件常用于控制不同模块的电源供给，以提高能效并延长电池续航时间。

Si2301DS, AO3401A, FDV301P, BSS84