PUMB1,135 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,主要用于通用开关和放大电路应用。该器件内部集成了两个PNP型晶体管,具有较小的封装尺寸,适合在空间受限的应用中使用。PUMB1,135以其高可靠性和稳定的性能,在消费类电子、工业控制和汽车电子等领域中得到了广泛应用。
晶体管类型:双极型晶体管(PNP x2)
最大集电极-发射极电压(VCEO):100 V
最大集电极电流(IC):100 mA
最大功耗(PD):300 mW
电流增益(hFE):110 - 800(根据工作点不同)
封装类型:SOT23
工作温度范围:-55°C 至 150°C
PUMB1,135是一款双晶体管阵列器件,采用SOT23小型表面贴装封装,适用于高密度PCB设计。其两个PNP晶体管具有相同的电气特性,可并行使用以提高电流承载能力,也可独立用于不同的电路模块。该器件的最大集电极-发射极电压为100V,最大集电极电流为100mA,适合中等电压和低电流的应用场景。
该器件的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800不等,具体数值取决于工作电流和温度条件,这使其在多种放大和开关应用中具有良好的适应性。此外,PUMB1,135的功耗较低,最大为300mW,确保在小型封装中仍能保持良好的热稳定性。
由于其高可靠性和热稳定性,PUMB1,135适用于各种工业和汽车应用。其工作温度范围为-55°C至150°C,能够适应极端环境下的工作条件。此外,SOT23封装便于自动化生产和焊接,提高了制造效率和产品一致性。
PUMB1,135 主要用于需要双PNP晶体管的电路设计中,例如音频放大器、信号开关、逻辑电平转换、继电器驱动和LED控制等应用场景。其在消费类电子产品(如家用电器、玩具和音响设备)、工业控制系统(如传感器接口和继电器控制)以及汽车电子(如车载照明和小型电机控制)中均有广泛应用。
由于其SOT23封装小巧,该器件也适合用于便携式电子设备和空间受限的设计中。例如,在电池供电设备中,它可以作为高效的开关元件,帮助延长电池寿命。此外,PUMB1,135还可用于数字电路中的电平转换或缓冲器设计,确保信号的稳定传输。
PUMD1,135; PBSS4041DPN; BC850