晶体类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

SS8050-D-Q晶体管具有多种优良特性，使其在电子电路中表现出色。首先，其电流增益（hFE）范围较宽，通常在110到800之间，这使得它适用于多种放大电路应用。其次，晶体管的最大集电极电流为100mA，能够满足低功率开关和放大需求。此外，SS8050-D-Q的集电极-发射极和集电极-基极电压均为30V，确保了其在较高电压环境下的稳定运行。该晶体管的最大功耗为300mW，适用于常见的低功耗应用场景。SS8050-D-Q的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有较强的环境适应性。其封装形式通常为TO-92或SOT-23，体积小巧，便于在紧凑的电路板上安装。此外，该晶体管具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于消费电子、工业控制和通信设备等多种应用。

SS8050-D-Q晶体管广泛应用于各种电子设备中，主要用于放大和开关电路。在音频放大器中，它可以作为前置放大器使用，提供良好的信号增强效果。在数字电路中，SS8050-D-Q常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，控制LED、继电器和小型电机等负载。此外，它还适用于电源管理电路、信号处理和传感器接口等应用场景。由于其优良的电流放大能力和稳定性，SS8050-D-Q也常用于模拟电路中的信号调节和控制。

BC547, 2N3904