时间：2025/6/30 10:46:48
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SI3585CDV是来自Vishay Siliconix的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用MicroSMD? 1.5mm x 1.5mm封装。该器件专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计，广泛应用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池管理电路。
这款MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了传导损耗，提升了整体系统效率。此外，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：20V
最大连续漏电流：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：12nC（典型值）
总功耗：260mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：MicroSMD? 1.5mm x 1.5mm
SI3585CDV的主要特点是其极低的导通电阻，这使得它在高频开关应用中表现出色。此外，它的微型封装极大地节省了PCB空间，非常适合便携式电子设备。
1. 极低的导通电阻（1.4mΩ），能够有效减少导通损耗。
2. 小型化封装设计，便于实现高密度布局。
3. 高开关速度和较低的栅极电荷确保了高效的工作性能。
4. 宽泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
SI3585CDV适用于多种需要高效功率切换的应用场景，包括但不限于：
1. 消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑。
2. 便携式设备的电源管理单元。
3. 各种降压或升压型DC-DC转换器。
4. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
5. 电池供电设备中的保护电路。
6. 热插拔控制电路及小型电机驱动控制。
SI3449CDV, SiA449DJ, Si4443DY
