SS520是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。其特点是低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力,非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。
SS520采用小尺寸表面贴装封装(如SOT-23),这使其成为空间受限设计的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:180mΩ(典型值)
栅极电荷:6nC(典型值)
开关时间:ton=15ns,toff=10ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻以减少功耗。
2. 快速开关特性支持高频应用。
3. 小尺寸封装节省PCB空间。
4. 高浪涌能力提高系统可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 负载开关在便携式电子设备中。
4. 电池保护电路。
5. 小型电机驱动控制。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
AO3400
FDP067N03L
SI2302DS