类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.6A（在 25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

SS510G 采用了先进的高压工艺技术，具有优异的导通性能和快速的开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）为 0.42Ω，在 10V 栅极电压下可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源耐压达到 100V，适用于中高压电源转换应用。此外，SS510G 具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　SS510G 采用 TO-252（DPAK）封装，这种表面贴装封装形式不仅具有良好的散热性能，还便于 PCB 布局和自动化装配。该封装有助于提高器件的可靠性和长期稳定性，适用于工业级和消费类电子产品的电源管理系统。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，兼容标准的 MOSFET 驱动器 IC。此外，SS510G 在开关过程中具有较低的开关损耗，使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，能够有效提升整体系统的能效和功率密度。

SS510G 广泛应用于各种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电池管理系统、负载开关、马达驱动电路以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为中高压电源转换应用的理想选择。此外，该器件也适用于 LED 驱动电源、光伏逆变器以及智能电表等对效率和可靠性要求较高的电子设备。

SiHF510-E3, FQP5N60C, IRF540N