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SS3200F 发布时间 时间:2025/7/19 17:07:55 查看 阅读:11

SS3200F是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效、高可靠性开关应用的电路设计。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。SS3200F的封装形式为DFN5x6,具有较小的封装尺寸,适合空间受限的设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ(当VGS=4.5V时)
  功耗(PD):3.2W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:DFN5x6

特性

SS3200F具有多项优异特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。这在需要高效能转换的应用中尤为重要,例如电源供应器和DC-DC转换器。
  其次,该MOSFET具备较高的连续漏极电流能力(10A),可以应对较大的负载需求,适用于高功率密度的设计。此外,其漏源电压额定值为20V,确保在多种工作条件下具有足够的安全裕量,避免因电压尖峰导致的器件损坏。
  SS3200F的栅源电压额定值为±12V,使其在常见的栅极驱动电路中能够稳定工作,同时防止因过高的栅极电压造成的击穿风险。其3.2W的功耗额定值确保在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性,减少了对额外散热措施的需求。
  在封装方面,SS3200F采用了DFN5x6封装形式,具有较小的尺寸和良好的散热性能,非常适合空间受限的应用场景,如便携式设备和嵌入式系统。此外,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在极端环境条件下保持稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。

应用

广泛应用于多种电子系统中,主要涉及需要高效能功率开关的场景。例如,在电源管理系统中,它可用于负载开关、电池管理以及电源分配控制。由于其高电流能力和低导通电阻,该MOSFET在DC-DC转换器中表现出色,能够提高转换效率并减少能量损耗。
  此外,SS3200F也适用于马达控制电路,如直流马达驱动器和步进马达控制器,能够提供稳定的电流输出和快速的开关响应。在工业自动化和机器人系统中,它可以用于控制执行器和传感器的电源供应,提高系统的可靠性和响应速度。
  该器件还适用于各种便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,用于电源管理模块中的高效能开关元件。由于其DFN5x6封装具有较小的体积和良好的散热性能,特别适合对空间要求严格的移动设备设计。
  在汽车电子领域,SS3200F可应用于车载电源管理系统、LED照明驱动电路以及车身控制模块,其宽工作温度范围确保在各种气候条件下稳定运行。

替代型号

SiSS20DN, TPS61020, AO4406

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