SS30100FL是一款N沟道逻辑电平MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用TO-252封装形式,适合表面贴装技术(SMT),能够提供出色的电气性能和可靠性。由于其较低的导通电阻和较高的电流处理能力,SS30100FL非常适合用作电源开关、负载开关以及电机驱动等应用中的功率管理元件。
SS30100FL的栅极阈值电压较低,可以与微控制器或其他低电压逻辑电路直接连接,从而简化了设计并降低了功耗。此外,其内置的ESD保护功能提高了器件在实际应用中的抗静电能力。
最大漏源电压:40V
最大漏极电流:16A
栅极阈值电压:1.2V至2.5V
导通电阻:100mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗:1.8W
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 逻辑电平栅极驱动,支持低电压控制信号电阻,减少功率损耗并提升效率。
3. 较高的连续漏极电流能力,确保可靠运行于高负载条件。
4. 内置ESD保护功能,增强系统稳定性。
5. 小型TO-252封装,适用于紧凑型设计需求。
6. 超宽的工作温度范围,适应各种环境下的应用。
SS30100FL主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载开关。
3. DC-DC转换器及同步整流电路。
4. 电机驱动和继电器替代方案。
5. 各种消费类电子产品中的保护电路和功率分配。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率控制。
STP16NF06L
IRF7409
FDP15N10Z