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OPA2613IDR 发布时间 时间:2025/9/3 20:12:36 查看 阅读:3

OPA2613IDR是一款由Texas Instruments生产的高性能、低噪声、双通道运算放大器。该器件专为需要高精度和高速度的应用而设计,具有极低的输入电压噪声密度和高带宽,适用于各种精密信号处理场合。OPA2613IDR采用8引脚SOIC封装,工作温度范围为工业级标准-40°C至+85°C,适合在各种恶劣环境下使用。

参数

类型:运算放大器
  通道数:2
  电源电压:±2.5V至±6V
  带宽:140MHz(典型值)
  压摆率:500V/μs(典型值)
  输入电压噪声密度:1.8nV/√Hz(典型值)
  输入电流噪声密度:0.8pA/√Hz(典型值)
  增益带宽积:140MHz
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:SOIC
  引脚数:8
  共模抑制比(CMRR):84dB(最小值)
  电源抑制比(PSRR):84dB(最小值)

特性

OPA2613IDR的核心特性之一是其超低的电压噪声密度,仅为1.8nV/√Hz,这使得它非常适合用于高精度、低噪声的信号链设计,例如音频处理和传感器信号放大。此外,该器件的高速性能表现优异,具有140MHz的增益带宽积和500V/μs的压摆率,能够快速响应高频信号变化,满足高速数据采集和信号调节的需求。
  OPA2613IDR还具备良好的直流精度,其输入偏置电流极低,仅为10pA(典型值),同时具有84dB的共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR),确保在复杂电源环境下仍能保持信号的稳定性。这些特性使得它在工业测量、医疗仪器和精密测试设备中表现出色。
  该器件支持宽范围的电源供电,工作电压范围为±2.5V至±6V,提供了灵活的电源设计选项。此外,OPA2613IDR采用了先进的BiCMOS工艺制造,结合了双极型晶体管的高性能和CMOS工艺的低功耗优势,从而在性能和功耗之间取得了良好的平衡。

应用

OPA2613IDR广泛应用于需要高精度与高速度结合的场合,如高保真音频前置放大器、精密传感器接口、工业自动化设备中的信号调理电路、医学成像设备中的模拟信号处理模块、高速数据采集系统以及通信基础设施中的模拟前端(AFE)部分。此外,由于其出色的噪声性能和带宽特性,它也常用于激光二极管驱动器、光电探测器信号放大器等光学系统中。

替代型号

OPA2613IDR的替代型号包括OPA2614IDR(具有更高的带宽和更低的失真)和LMH6622MA/NOPB(具有类似性能但封装不同)。

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OPA2613IDR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 系列-
  • 放大器类型电压反馈
  • 电路数2
  • 输出类型-
  • 转换速率70 V/µs
  • 增益带宽积125MHz
  • -3db带宽230MHz
  • 电流 - 输入偏压6µA
  • 电压 - 输入偏移200µV
  • 电流 - 电源12mA
  • 电流 - 输出 / 通道350mA
  • 电压 - 电源,单路/双路(±)5 V ~ 12 V,±2.5 V ~ 6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 配用296-22743-ND - BOARD DEMO FOR 8SOIC DUAL OPAMPS