SS28T3 时间：2025/6/4 1:24:26 阅读：7

SS28T3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 集成电路，广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力，适用于需要高效能和稳定性的电子系统。
　　SS28T3 的设计使其能够在较宽的工作电压范围内运行，并且具备出色的热性能和电气性能。此外，其封装形式通常为 SO-8 或 DPAK，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：6.5A
　　导通电阻（典型值）：15mΩ
　　栅极阈值电压：1.5V 至 3.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SO-8/DPAK

特性

SS28T3 具有以下显著特性：
　　1. 双通道设计：集成两个独立的 N 沟道 MOSFET，减少外部元件数量，简化电路设计。
　　2. 低导通电阻：在大电流应用中降低功耗，提高效率。
　　3. 快速开关速度：支持高频工作环境，适用于开关电源和脉宽调制 (PWM) 应用。
　　4. 高可靠性：具备静电放电保护 (ESD Protection) 和热关断功能，确保在异常条件下安全运行。
　　5. 小型化封装：SO-8 或 DPAK 封装满足现代电子产品对紧凑空间的需求。

应用

SS28T3 主要用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：
　　提供高效的开关控制，适用于降压或升压转换器。
　　2. 电机驱动：
　　用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的控制电路。
　　3. 电池管理系统 (BMS)：
　　在充电和放电回路中作为功率开关。
　　4. 负载开关：
　　实现对负载的精确控制和保护。
　　5. 信号切换：
　　用于音频或视频信号的切换和隔离。