SS28T3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 集成电路,广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力,适用于需要高效能和稳定性的电子系统。
SS28T3 的设计使其能够在较宽的工作电压范围内运行,并且具备出色的热性能和电气性能。此外,其封装形式通常为 SO-8 或 DPAK,适合表面贴装工艺,便于自动化生产和组装。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:6.5A
导通电阻(典型值):15mΩ
栅极阈值电压:1.5V 至 3.5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SO-8/DPAK
SS28T3 具有以下显著特性:
1. 双通道设计:集成两个独立的 N 沟道 MOSFET,减少外部元件数量,简化电路设计。
2. 低导通电阻:在大电流应用中降低功耗,提高效率。
3. 快速开关速度:支持高频工作环境,适用于开关电源和脉宽调制 (PWM) 应用。
4. 高可靠性:具备静电放电保护 (ESD Protection) 和热关断功能,确保在异常条件下安全运行。
5. 小型化封装:SO-8 或 DPAK 封装满足现代电子产品对紧凑空间的需求。
SS28T3 主要用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
提供高效的开关控制,适用于降压或升压转换器。
2. 电机驱动:
用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS):
在充电和放电回路中作为功率开关。
4. 负载开关:
实现对负载的精确控制和保护。
5. 信号切换:
用于音频或视频信号的切换和隔离。
IRLZ44N, AO3400, FDN340P