时间：2025/12/28 22:06:06
阅读：12
TISP8201MDR-S是一款由Texas Instruments（德州仪器）推出的单向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌电压等瞬态电压的损害。该器件具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等特点，适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用场景。TISP8201MDR-S采用SOT23-5封装，便于在PCB上布局，适合空间受限的设计。
类型：单向TVS二极管
工作电压：8V
反向关态电压（VRWM）：8V
击穿电压（VBR）：最小9.3V，典型值10.3V，最大11.4V
钳位电压（Vc）：最大16V（在Ipp = 1A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
漏电流（IR）：最大100nA（在VRWM下）
响应时间（tRESP）：小于1ns
封装：SOT23-5
TISP8201MDR-S的核心功能是提供高效、可靠的电路保护。其单向结构设计使其在负向瞬态电压下也能有效工作，确保被保护电路在各种极端环境下保持稳定运行。
TISP8201MDR-S具备出色的响应速度，能够在纳秒级别内对瞬态电压做出反应，从而迅速将电压钳制在安全范围内，防止损坏下游的敏感元件。其低钳位电压特性在保护过程中能显著降低对电路的影响，提高系统的稳定性。
此外，该器件具有高达±30kV的ESD抗扰度，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，适用于高要求的电磁兼容（EMC）环境。TISP8201MDR-S的SOT23-5封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C）。
由于其单向特性，TISP8201MDR-S特别适用于直流电源线路、单向信号线等需要单向保护的应用。其低电容特性（典型值15pF）也使其适用于高速数据线保护，不会对信号完整性造成明显影响。
TISP8201MDR-S广泛应用于多种电子系统中，主要用于保护通信接口（如RS-232、RS-485）、电源输入端口、工业控制系统的I/O接口、消费类电子产品的USB接口以及各种需要静电放电（ESD）和浪涌保护的电路中。该器件尤其适合用于空间受限但对保护性能有较高要求的设计。
TI的其他TVS器件，如TLC7201MDR、TISP7201MDR-S，以及ON Semiconductor的NUP2105L等可作为替代选择。
