时间：2025/8/5 17:27:15
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SS150TA60110 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET器件，属于超级结（Super Junction）MOSFET系列，具有高效能和低导通损耗的特点。该器件主要用于高功率密度和高效率的电源转换应用，例如服务器电源、电信电源、工业电源和DC-DC转换器。SS150TA60110采用了先进的技术，提供了优异的热性能和可靠性，能够在高频率下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.195Ω
栅极电荷（Qg）：23nC
功耗（Ptot）：80W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
SS150TA60110的主要特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这使得器件在高电流工作条件下能够减少功率损耗并提高整体效率。
此外，该MOSFET采用了超级结技术，显著降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
其高耐压能力（600V）使其在高压电源系统中具有良好的适应性。
该器件的封装设计为TO-220，提供了良好的散热性能和机械稳定性，确保在高功率应用中能够可靠运行。
SS150TA60110还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，延长设备的使用寿命。
该MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的负担，提高系统的响应速度。
其优异的可靠性使其适用于对稳定性要求较高的工业和通信电源系统。
SS150TA60110广泛应用于各类高效率电源转换系统中，包括服务器电源、电信整流器、工业电源模块和DC-DC转换器等。
在这些应用中，它能够有效降低导通损耗和开关损耗，提高整体系统的能效。
由于其高耐压和高电流能力，它也常用于功率因数校正（PFC）电路和高功率密度的开关电源（SMPS）设计中。
该器件的高性能特性使其成为许多高可靠性电源系统的首选MOSFET，适用于需要长时间稳定运行的应用场景，例如数据中心和工业自动化控制系统。
STF150N6F2, STF150N6F2-DS, IPP150R3K3A, IPP150R3K3AG
