SS1040H_R1 时间：2025/8/14 19:31:10 阅读：5

SS1040H_R1 是一款由 Sanken（三健电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器、同步整流器等应用。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等优点，适合用于高频开关环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：40A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.0mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　极数：3极（漏极、栅极、源极）

特性

SS1040H_R1 MOSFET 具备极低的导通电阻，这使得在高电流条件下功率损耗显著降低，提高了整体效率。其高耐压能力（100V）使其适用于多种电源管理应用，包括高电压输入的DC-DC转换器和同步整流电路。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而支持更高的开关频率。此外，其高功率耗散能力（200W）允许在无复杂散热设计的情况下处理大电流负载，提高了系统的可靠性。
　　SS1040H_R1 的栅极驱动电压范围较宽（最高可达20V），允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制。其封装形式为TO-220AB，便于安装在散热片上，有助于热量的有效散发。
　　这款MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

SS1040H_R1 主要应用于高效能电源系统，如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、电机驱动器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻特性，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换场合。例如，在同步整流器中，SS1040H_R1 可显著降低导通损耗，提高整流效率；在DC-DC转换器中，它能支持高频操作，减小电感和电容的尺寸，实现紧凑的电源设计。
　　此外，该器件也可用于电机控制和负载开关应用，提供快速的开关响应和良好的过载保护能力。