时间：2025/12/26 21:10:14
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ST300C20C0L是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及工业控制等领域。该器件采用先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术，结合优化的硅片设计，实现了低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优异的热稳定性。ST300C20C0L属于STripFET系列中的一员，该系列以其卓越的功率密度和效率著称，特别适用于高频率开关应用场合。该器件封装在TO-247封装中，具备良好的散热性能和机械强度，适合高功率密度设计。其额定电压为200V，连续漏极电流可达30A，能够满足严苛的工业与电力电子系统需求。此外，ST300C20C0L还具备良好的抗雪崩能力，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。
型号：ST300C20C0L
制造商：STMicroelectronics
器件类型：N沟道功率MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±25V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：30A
脉冲漏极电流（IDM）：120A
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：38mΩ
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V, TJ = 110°C）：55mΩ
栅极电荷（Qg）：160nC（典型值）
输入电容（Ciss）：4000pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：55ns（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
最大功耗（PD）：300W（Tc=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
ST300C20C0L采用意法半导体专有的STripFET F7系列技术，基于先进的超级结（Super Junction）结构与改进的沟道设计，在200V耐压等级下实现了极低的导通电阻，显著降低了导通损耗，提高了整体能效。其38mΩ的典型RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，有助于减少热量产生并简化散热设计。该器件具有出色的开关特性，栅极电荷（Qg）仅为160nC，米勒电荷（Qsw）低，使得在高频开关应用中（如LLC谐振转换器、硬开关PSFB等）能够有效降低驱动损耗和电磁干扰（EMI）。
该MOSFET具备优良的热稳定性和长期可靠性，经过严格的老化测试和高温反向偏压（HTRB）验证，确保在恶劣工况下仍能保持性能稳定。其高达+175°C的最大结温允许在高温环境中运行，提升了系统的环境适应能力。器件内部结构优化了电场分布，增强了dv/dt和di/dt的耐受能力，减少了误触发风险。同时，ST300C20C0L具备较强的雪崩能量承受能力（EAS），通过了单脉冲和重复脉冲雪崩测试，适用于存在感性负载或电压尖峰的应用场景，如电机驱动和逆变器。
TO-247封装不仅提供了优异的热传导路径，还具备较高的绝缘爬电距离，适用于高隔离要求的设计。引脚布局优化，减小了寄生电感，有利于提升开关速度和系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在汽车电子应用中也具备一定的适用潜力。总体而言，ST300C20C0L是一款集高效率、高可靠性与高功率密度于一体的先进功率MOSFET，适用于对性能要求严苛的现代电力电子系统。
ST300C20C0L广泛应用于多种高功率、高效率的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于大功率AC-DC和DC-DC转换器，特别是在服务器电源、通信电源和工业开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流器件，利用其低RDS(on)和快速开关特性提升转换效率。在电机驱动系统中，该器件可用于直流无刷电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的逆变桥臂，支持高动态响应和精确控制。
在新能源领域，ST300C20C0L适用于太阳能逆变器中的DC-AC转换级，承担高频率开关任务，帮助实现高功率密度和高能效输出。其良好的热性能和可靠性也使其成为电动汽车车载充电机（OBC）和辅助电源模块的理想选择。此外，在不间断电源（UPS）和储能系统（ESS）中，该器件可用于双向DC-DC变换器和逆变器电路，支持能量的高效双向流动。
由于其具备较强的抗雪崩能力和高温工作能力，ST300C20C0L也可用于电焊机、感应加热设备和高功率LED驱动电源等工业设备中。在自动化控制系统中，作为高边或低边开关，驱动继电器、电磁阀等负载，表现出优异的耐用性和响应速度。总之，该器件凭借其综合性能优势，已成为工业、能源、交通等多个领域中关键功率开关的优选方案。
STP300N20F7AG
STP300N20F7
IPW60R038CFD
