您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SS1040HE-AU_R1_000A1

SS1040HE-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 9:02:37 查看 阅读:9

SS1040HE-AU_R1_000A1 是一款由 Silicon Storage Technology(SST)公司制造的串行闪存存储器芯片。该器件主要用于嵌入式系统中,提供非易失性存储解决方案,适用于需要高可靠性和低功耗的应用场景。这款芯片采用小型封装设计,支持多种标准串行外设接口(SPI),便于集成到各种电子设备中。

参数

型号:SS1040HE-AU_R1_000A1
  制造商:SST(Silicon Storage Technology)
  存储类型:非易失性存储器(NVM)
  存储容量:1 Mbit
  接口类型:SPI(串行外设接口)
  电压范围:2.5V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  最大时钟频率:40 MHz
  读取电流:3 mA(典型值)
  待机电流:10 nA(典型值)
  写入/擦除耐久性:100,000 次
  数据保留时间:100 年

特性

SS1040HE-AU_R1_000A1 具备一系列先进的功能,使其成为多种嵌入式应用的理想选择。首先,它支持高速SPI接口,最大时钟频率可达40 MHz,使得数据传输速率显著提高,从而提升系统性能。其次,该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低(典型值为10 nA),非常适合电池供电设备或需要节能的应用场景。
  此外,SS1040HE-AU_R1_000A1 的工作电压范围较宽(2.5V 至 3.6V),使其能够兼容多种电源管理方案,适用于不同的硬件设计。芯片内部集成了写保护功能,防止意外擦除或写入操作,提高了数据的安全性和可靠性。
  该器件还具有出色的耐久性和数据保留能力,支持100,000次写入/擦除周期,数据保留时间可达100年,确保长期稳定运行。这些特性使得 SS1040HE-AU_R1_000A1 在工业控制、消费电子、汽车电子等领域中具有广泛的应用前景。

应用

SS1040HE-AU_R1_000A1 适用于多种需要非易失性存储的嵌入式系统。其主要应用场景包括但不限于:固件存储、配置数据保存、日志记录、安全密钥存储、传感器数据缓存等。由于其低功耗和高速SPI接口的特性,该芯片广泛用于智能仪表、物联网(IoT)设备、可穿戴设备、医疗设备以及汽车电子控制系统等对功耗和空间有严格要求的设备中。
  在工业自动化系统中,它可以用于存储设备校准参数或运行日志,帮助提高系统的可靠性和可维护性。在消费电子产品中,例如智能手表或智能家居设备,该芯片可用于保存用户设置或固件更新数据。此外,在汽车电子领域,该器件也可用于存储车载传感器的配置信息或诊断数据,助力汽车安全和维护。

替代型号

ISSI的IS25LQ040B-JDQB、Winbond的W25Q80BV、Microchip的SST25VF040B

SS1040HE-AU_R1_000A1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SS1040HE-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量2,790现货
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥0.70749卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)500 mV @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏30 μA @ 40 V
  • 不同?Vr、F 时电容60pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-123H
  • 供应商器件封装SOD-123HE
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C