时间：2025/8/14 19:50:45
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SS1040HE-AU是一款由台湾半导体公司Sinopower生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用高密度沟槽式工艺制造，具备优良的导通特性和快速开关性能。该器件主要设计用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各类电源控制电路。SS1040HE-AU采用SOT-223封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，适用于空间受限的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤6.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOT-223
SS1040HE-AU MOSFET采用了先进的沟槽式功率技术，提供非常低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的电压，具有良好的抗过压能力。此外，其SOT-223封装形式不仅节省PCB空间，而且具备良好的散热性能，能够在高电流工作条件下保持稳定运行。
在开关特性方面，SS1040HE-AU具有快速的上升和下降时间，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，能在突发的过压或短路情况下提供一定的保护作用，提高系统的可靠性。
SS1040HE-AU的制造工艺符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。
SS1040HE-AU广泛应用于各类电源管理设备，包括同步整流DC-DC转换器、电池充电器、负载开关、马达控制器以及电源管理系统。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于需要高效率和高性能的电源设计中。此外，在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等，SS1040HE-AU可用于电源路径管理和电池保护电路，以提高能量利用率并延长电池续航时间。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, AO4410, IPB012N04LC G
