H5TC4G43BMR-H9A 时间：2025/9/2 4:49:04 阅读：7

H5TC4G43BMR-H9A 是由SK hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高带宽和高性能计算需求的应用场景。该芯片的存储容量为4GB，采用了BGA（Ball Grid Array）封装技术，适用于现代高性能电子设备。这款DRAM芯片通常用于需要快速数据处理的设备，如PC、服务器、图形处理卡等。

参数

存储容量：4GB
　　封装类型：BGA
　　接口类型：DRAM
　　频率：1866MHz
　　电压：1.35V
　　数据总线宽度：x4
　　时钟类型：差分时钟
　　工作温度：0°C至85°C

特性

H5TC4G43BMR-H9A芯片具备高性能和低功耗的特性，适合现代计算设备的需求。它的工作频率高达1866MHz，能够提供较高的数据传输速率，同时其1.35V的低压设计使其在运行过程中更加节能。该芯片采用x4数据总线宽度，优化了数据传输的稳定性和效率。此外，其差分时钟接口设计有助于降低信号干扰，提高信号完整性。该芯片的工作温度范围广泛，可以在0°C至85°C之间正常运行，适用于各种环境条件。
　　此外，H5TC4G43BMR-H9A采用BGA封装技术，不仅提高了封装密度，还增强了芯片的散热性能，使其能够在高负载下保持稳定运行。BGA封装还具有良好的电气性能，减少了引脚间的干扰，从而提高了整体系统的可靠性。这些特性使得该芯片成为高性能计算、服务器存储扩展以及图形处理等领域的理想选择。

应用

H5TC4G43BMR-H9A广泛应用于高性能计算设备、服务器、图形处理卡（GPU）、个人计算机（PC）以及嵌入式系统。其高频率和低功耗的特性使其特别适合用于需要大量数据处理能力的场景，如数据中心服务器、高端游戏显卡以及专业图形工作站。此外，该芯片也可用于工业控制系统、网络设备和高端消费电子产品中。