时间：2025/8/14 15:32:26
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SS1040 R1 是一款由 MagnaChip 半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于各种高功率和高频应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。SS1040 R1 的封装形式为 TO-252（DPAK），便于在 PCB 上安装并具备良好的散热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：最大 4.0mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
SS1040 R1 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，具有出色的电气特性和可靠性。其主要特性之一是低导通电阻，RDS(on) 最大值为 4.0mΩ，在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该器件支持高达 75A 的连续漏极电流和 100V 的漏源电压，能够胜任高功率应用。
该 MOSFET 采用先进的沟槽式技术，优化了电流分布并降低了导通损耗。其栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间工作，确保了在不同驱动条件下都能实现良好的性能。SS1040 R1 还具有较高的热稳定性和抗短路能力，适用于严苛的工作环境。
TO-252（DPAK）封装设计不仅提供了良好的散热性能，还简化了 PCB 布局，提高了组装效率。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适合广泛应用在工业控制、汽车电子、消费类电源设备等领域。
SS1040 R1 适用于多种高功率电子系统，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器以及电池管理系统。此外，它还可用于电源供应器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率开关应用。
IPB10N100C5, FDP10N10, FQP10N10
