型号：SS01GL2
　　封装类型：DFN1006-2 (SOD-962)
　　极性：单路肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：150mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：0.5A
　　最大正向导通压降（VF）：@ IF=10mA时典型值0.28V；@ IF=150mA时最大值0.45V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR=30V且TA=25°C时最大值1μA；高温条件下可能上升至10μA
　　结温范围（Tj）：-55°C ~ +125°C
　　储存温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约450°C/W（依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　符合标准：RoHS、无卤素

SS01GL2的核心特性之一是其超低正向导通压降，这得益于其采用的高性能肖特基势垒结构。在典型工作电流10mA下，VF仅为0.28V左右，相比传统硅PN结二极管（通常VF约为0.6~0.7V），显著降低了功率损耗，提高了系统能效。这一优势在电池供电设备中尤为重要，能够有效延长续航时间。同时，在150mA满载条件下，最大VF控制在0.45V以内，确保了在瞬态负载变化时仍保持良好的电压稳定性。
　　其次，该器件具有极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计（trr < 1ns），这是肖特基二极管的本质优势。因此，它非常适合应用于高频开关电路中，例如DC-DC转换器的续流二极管、同步整流辅助路径或射频信号检波电路。快速响应能力减少了开关过程中的交越损耗，提升了整体电源效率。
　　第三，SS01GL2采用了微型DFN1006-2封装，外形尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm，极大地节省了PCB布板空间，适应现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。该封装还具备良好的散热性能，通过底部散热焊盘可将热量有效传导至PCB地层，提升长期工作的可靠性。
　　此外，其反向漏电流在常温下非常低（≤1μA @ 30V），有助于减少待机功耗，尤其适用于低功耗传感器节点和间歇性工作的无线模块。尽管在高温环境下漏电流会有所增加，但仍在可接受范围内，不会影响系统正常运行。
　　最后，该器件具备良好的ESD耐受能力（HBM ≥ 2kV），增强了在自动化装配和现场使用中的鲁棒性。综合来看，SS01GL2是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的先进肖特基二极管，适用于多种严苛应用场景。

SS01GL2广泛应用于各类对尺寸和功耗敏感的便携式电子设备中。首先，在移动终端如智能手机和平板电脑中，常用于电池充电路径中的防反接保护电路，防止因电池误插或外部电源极性错误导致主控芯片损坏。其次，在DC-DC降压或升压转换器中，作为续流二极管使用，利用其低VF特性减少能量损失，提高电源转换效率，特别适合用于背光驱动、摄像头模组供电等子系统。
　　在物联网（IoT）设备中，如智能手环、无线传感器节点和蓝牙信标，SS01GL2被用于电源切换电路或多电源选择逻辑中，实现主辅电源之间的无缝切换，保障系统持续运行。其低静态功耗特性使得即使在长时间待机状态下也不会显著影响电池寿命。
　　此外，该器件也适用于信号整流与钳位电路，例如在RFID读写器、近场通信（NFC）模块或无线充电接收端中，用于高频信号的检测与整形。由于其快速响应能力，能够准确捕捉微弱信号并完成整流输出，提升系统灵敏度。
　　在USB接口保护方面，SS01GL2可用于Vbus线路的隔离与稳压，防止过压或反向电流冲击主控IC。同时，在LED指示灯驱动电路中，可用作防止倒灌电流的隔离元件，避免多个LED支路之间相互干扰。
　　最后，因其符合工业级温度规范，也可部署于工业传感模块、医疗可穿戴设备和车载信息娱乐系统的外围电路中，提供稳定可靠的二极管功能支持。

SLD1GL2