时间：2025/9/6 8:12:24
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MB130L是一款由美台半导体（Micro Commercial Components，简称MCC）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场合。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。MB130L的设计使其在低导通电阻和快速开关特性之间取得良好平衡，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：130A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：160W
栅极电荷（Qg）：85nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2050pF（典型值）
MB130L具有极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为4.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（ID=130A）使其适用于高功率密度设计。该MOSFET具备优良的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。MB130L采用了先进的沟槽栅技术，提供快速的开关速度和低栅极电荷（Qg=85nC），从而减少开关损耗。此外，该器件的封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长使用寿命。其±20V的栅源电压耐受能力提高了器件在高噪声环境下的可靠性。
MB130L适用于多种功率电子设备，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。在汽车电子领域，该器件常用于车载充电器、电动工具和车身控制模块。此外，它也广泛应用于服务器电源、通信设备电源和UPS不间断电源等高可靠性系统。
IRF130、IRFZ44N、Si4410BDY、FDP130N10A
