MB130L是一款由美台半导体(Micro Commercial Components,简称MCC)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场合。该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。MB130L的设计使其在低导通电阻和快速开关特性之间取得良好平衡,适用于中高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):130A(最大值)
导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值,VGS=10V)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-220
功率耗散(PD):160W
栅极电荷(Qg):85nC(典型值)
输入电容(Ciss):2050pF(典型值)
MB130L具有极低的导通电阻(RDS(on)),在VGS=10V时仅为4.5mΩ,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力(ID=130A)使其适用于高功率密度设计。该MOSFET具备优良的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定工作。MB130L采用了先进的沟槽栅技术,提供快速的开关速度和低栅极电荷(Qg=85nC),从而减少开关损耗。此外,该器件的封装设计具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长使用寿命。其±20V的栅源电压耐受能力提高了器件在高噪声环境下的可靠性。
MB130L适用于多种功率电子设备,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制系统。在汽车电子领域,该器件常用于车载充电器、电动工具和车身控制模块。此外,它也广泛应用于服务器电源、通信设备电源和UPS不间断电源等高可靠性系统。
IRF130、IRFZ44N、Si4410BDY、FDP130N10A