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SS0130UFN2B 发布时间 时间:2025/8/14 22:35:41 查看 阅读:13

SS0130UFN2B 是一款由 Sanken(三研)公司生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD)芯片,广泛用于高效率电源管理、DC-DC转换器、整流器等高频电子电路中。该器件具有低正向压降(Forward Voltage Drop)和快速恢复时间(Reverse Recovery Time)的特点,有助于提高电路的整体能效并降低开关损耗。SS0130UFN2B 采用紧凑的封装设计,适用于空间受限的电子设备中,如智能手机、笔记本电脑、电源适配器等。

参数

最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
  最大平均整流电流(IF(AV)):1A
  正向压降(IF=1A时):0.38V(典型值)
  峰值浪涌电流(IFSM):50A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:UFN2B(Ultra Flat No-lead 2B)
  引脚数:2

特性

SS0130UFN2B 的主要特性包括低正向压降、快速恢复时间和高浪涌电流承受能力。其低正向压降在1A电流下仅为0.38V左右,显著降低了导通损耗,提高了能效。
  该器件的快速恢复时间极短,通常在纳秒级别,适用于高频开关应用,能够有效减少开关过程中的能量损耗,提高电源系统的响应速度和稳定性。
  此外,SS0130UFN2B 具有较强的浪涌电流承受能力(IFSM为50A),能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统的可靠性和安全性。
  其采用的UFN2B封装形式具有超薄、轻量、低热阻等优点,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能,有助于保持器件在高负载工作下的稳定性。
  工作温度范围宽,能够在-55°C至+150°C的环境中正常运行,适用于多种工业、消费类电子应用场合。

应用

SS0130UFN2B 广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高效率、高频操作的电源管理模块中表现优异。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、适配器和充电器电路等。
  在DC-DC转换器中,SS0130UFN2B 可作为输出整流二极管使用,其低正向压降有助于提高转换效率,并减少热量的产生。
  在同步整流器中,该器件可以与MOSFET配合使用,进一步提升电源转换效率,适用于高能效要求的电源设计。
  由于其高浪涌电流承受能力,SS0130UFN2B 也常用于负载开关和电池管理系统中,以保护电路免受瞬态大电流的损害。
  在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源适配器中,SS0130UFN2B 可用于提高电源转换效率,延长设备的使用时间。
  此外,该器件也适用于各种工业控制、LED驱动电源、电源管理IC外围电路等场景。

替代型号

SS130LFN2B, SBM130ALFCT-ND, 1N5819WS-13-F

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