时间：2025/9/15 10:36:13
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A302H 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用 SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于高频率开关操作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOP
A302H MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得在导通状态下功率损耗最小化，从而提高了整体系统效率。其快速开关特性使其适用于高频应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。此外，SOP 封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能稳定运行。A302H 还具有良好的热稳定性和抗过载能力，适合在恶劣环境下使用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。此外，A302H 的封装设计有助于简化 PCB 布局，并提供优异的电气隔离性能，减少寄生电感和电容的影响，从而提高整体电路的稳定性和可靠性。
A302H 主要用于各种电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高频率响应和低导通电阻特性使其在高效能、高密度电源设计中尤为受欢迎。
Si2302DS、IRLML2402、FDV303N、AO3400A
