SRT40L60DC-R是一款基于硅技术的高性能MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频开关应用场合,例如开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等。其额定电压为600V,能够满足高压应用场景的需求,同时具备出色的热性能和可靠性。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:40A
导通电阻(典型值):90mΩ
栅极电荷:38nC
开关时间(开启):50ns
开关时间(关闭):28ns
工作结温范围:-55℃至175℃
SRT40L60DC-R的主要特点是其优化的RDS(on)性能,在高频应用中能显著降低传导损耗,提高整体效率。此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
它采用了先进的芯片设计和封装技术,确保了良好的散热特性和抗浪涌能力,使其非常适合于严苛的工作环境。此外,其紧凑的TOLL封装也方便PCB布局设计,从而节约空间并提升系统集成度。
这款功率MOSFET广泛应用于工业及消费类电子领域,包括但不限于以下场景:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 电池管理系统(BMS)
- 脉宽调制(PWM)控制器
由于其高耐压和大电流承载能力,特别适合用于需要高效能量转换和可靠运行的电力电子设备。
SRT45L60DC-R, SRT40L65DC-R