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SRT40L60DC-R 发布时间 时间:2025/5/28 17:05:05 查看 阅读:14

SRT40L60DC-R是一款基于硅技术的高性能MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频开关应用场合,例如开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等。其额定电压为600V,能够满足高压应用场景的需求,同时具备出色的热性能和可靠性。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):90mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关时间(开启):50ns
  开关时间(关闭):28ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

SRT40L60DC-R的主要特点是其优化的RDS(on)性能,在高频应用中能显著降低传导损耗,提高整体效率。此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
  它采用了先进的芯片设计和封装技术,确保了良好的散热特性和抗浪涌能力,使其非常适合于严苛的工作环境。此外,其紧凑的TOLL封装也方便PCB布局设计,从而节约空间并提升系统集成度。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于工业及消费类电子领域,包括但不限于以下场景:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动与控制
  - 太阳能逆变器
  - 电池管理系统(BMS)
  - 脉宽调制(PWM)控制器
  由于其高耐压和大电流承载能力,特别适合用于需要高效能量转换和可靠运行的电力电子设备。

替代型号

SRT45L60DC-R, SRT40L65DC-R

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