FB130LM 时间：2025/9/6 8:09:14 阅读：23

FB130LM 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及工业控制等应用。FB130LM 采用高散热性能的封装设计，使其在高功率运行时仍能保持稳定的工作状态。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（@25℃）：100A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：3.2mΩ（最大）
　　功率耗散 Pd：130W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TO-220AB

特性

FB130LM 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)）特性，使得在高电流下导通损耗显著降低，从而提升系统效率。其次，该器件采用了 ROHM 的先进沟槽式 MOSFET 技术，使其在保持小型化的同时具备更高的电流密度和热稳定性。
　　在散热性能方面，FB130LM 采用 TO-220AB 封装形式，具有良好的热传导性能，有助于快速将热量散发至 PCB 或散热片，从而延长器件寿命并提高整体系统的可靠性。此外，该 MOSFET 在高温度环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于严苛的工业和车载环境。
　　FB130LM 的另一个显著特点是其高耐用性，能够承受短时间的过载和瞬态电流冲击，这在负载突变或启动过程中尤为重要。其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），允许使用多种类型的驱动电路，提高了设计的灵活性。
　　此外，该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

应用

FB130LM 主要应用于高功率密度的电源系统中，例如同步整流式 DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及电源负载开关等。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适合用作高效率的功率开关器件。
　　在服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备和汽车电子系统中，FB130LM 能够有效提升整体系统效率并降低发热。此外，在电动工具、电动自行车和储能系统中，它也常用于控制电池充放电路径，实现高可靠性的功率管理。
　　该 MOSFET 还适用于负载瞬态响应要求较高的应用场景，例如电源管理 IC（PMIC）的外围开关元件，或用于电源冗余设计中的热插拔控制电路。其高可靠性和良好的热性能也使其成为高可用性设备中的首选器件。