时间：2025/8/11 18:28:05
阅读：9
MR5A16ACYS35 是一款由 Cypress（赛普拉斯）公司推出的非易失性存储器（NVRAM）芯片，属于其nvSRAM产品系列。该芯片结合了SRAM的高速读写性能与非易失性存储技术，能够在断电情况下通过内置的电容或外部电源保持数据的完整性。MR5A16ACYS35 提供了16 Mbit的存储容量，适用于需要高可靠性和数据持久性的应用场合，如工业控制、航空航天、医疗设备和网络设备等。该芯片采用高速异步SRAM接口，兼容标准异步SRAM的操作时序，便于集成到现有的系统架构中。
容量：16 Mbit
组织方式：1M x 16
电源电压：3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：44-TFSOP
接口类型：异步SRAM接口
读取时间：最大55ns
写入时间：最大55ns
访问时间：最大55ns
数据保存时间：典型值为20年（在+75°C下）
数据轮询支持：支持
MR5A16ACYS35 的核心优势在于其非易失性存储能力与高速SRAM性能的结合。该芯片内部集成了一个自动的存储器保护机制，在检测到电源下降时，能够自动将SRAM中的数据保存到非易失性存储单元中，从而防止数据丢失。数据恢复功能也支持在上电时自动将非易失性存储中的内容恢复到SRAM中，确保系统状态的一致性。
此外，MR5A16ACYS35 提供了非常高的读写耐久性，支持无限次的读写操作而不会影响存储寿命。这与传统的EEPROM或Flash存储器形成鲜明对比，后者通常受限于有限的擦写次数。同时，其高速异步接口支持与多种处理器和控制器直接连接，减少了系统设计的复杂度。
为了保证数据的可靠性，该芯片还内置了硬件写保护功能，防止在电源不稳定或系统复位期间对存储器的误写入。此外，MR5A16ACYS35 还支持软件数据轮询（Data Recall）功能，允许用户在任意时刻将非易失性存储中的数据恢复到SRAM中，而无需依赖电源状态的变化。
MR5A16ACYS35 广泛应用于需要高速、高可靠性与非易失性数据存储的工业和嵌入式系统中。常见的应用场景包括实时数据记录、设备状态保存、网络设备配置存储、工业控制系统中的参数存储以及航空航天和医疗设备中的关键数据保护。其高速访问时间和无限次写入能力使其特别适合需要频繁更新数据的应用，如日志记录和高速缓存。此外，由于其具备断电数据保存功能，MR5A16ACYS35 也常用于需要在突发断电情况下保持关键数据完整性的系统中。
MR5A160A、MR5A160T、FM28V100、IS66WVH8M48FFBLL
