KTC801U-GR 时间：2025/9/11 17:41:42 阅读：6

KTC801U-GR是一款由KORSEM公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等高要求场景。KTC801U-GR采用小型DFN5x6封装，具备良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值8.8mΩ（在VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　漏极功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：DFN5x6

特性

KTC801U-GR采用了先进的沟槽栅技术，有效降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大仅为8.8mΩ，有助于降低在高电流应用中的功率损耗。该器件具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达80A，在高温环境下仍能稳定工作。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），优化了开关特性，减少了开关损耗，使其在高频开关电源中表现出色。同时，其快速的开关响应能力也有助于提高系统的动态响应速度。
　　KTC801U-GR采用DFN5x6封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率密度应用中维持较低的工作温度。这种封装形式不仅节省空间，还支持自动贴装工艺，提高了生产效率。
　　此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于严苛的工作环境。其宽广的工作温度范围（-55℃ ~ +175℃）确保了在极端温度条件下的稳定运行。