SRM7910I 时间：2025/12/25 15:25:54 阅读：26

SRM7910I是一款由上海瞻芯电子科技有限公司（Inventronics Semiconductor）推出的高性能碳化硅（SiC）MOSFET器件，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。该器件基于先进的650V碳化硅沟槽型MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热稳定性等优势。SRM7910I采用标准DFN8*8封装形式，具有良好的散热性能和较小的寄生电感，适用于高频开关电源、光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC变换器及工业电机驱动等对能效和功率密度要求较高的场合。
　　作为一款N沟道增强型碳化硅MOSFET，SRM7910I克服了传统硅基MOSFET在高压应用中存在开关损耗大、耐温能力差等问题，能够在高达175°C的结温下稳定运行，并支持更高的开关频率，从而有效减小磁性元件体积，提升系统整体效率。其内部结构优化了电场分布，增强了器件的可靠性和抗雪崩能力，适合在恶劣电磁干扰环境下长期使用。此外，该产品符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，便于自动化生产装配。

参数

型号：SRM7910I
　　类型：N沟道增强型碳化硅MOSFET
　　电压等级：650V
　　连续漏极电流（ID）：30A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻RDS(on)：70mΩ（@VGS=20V, ID=15A）
　　栅极阈值电压VGS(th)：3.5V（典型值）
　　输入电容Ciss：4200pF（@VDS=400V）
　　输出电容Coss：280pF（@VDS=400V）
　　反向恢复电荷Qrr：0C（体二极管无反向恢复电荷）
　　最大工作结温Tj：175°C
　　封装形式：DFN8*8
　　栅极驱动电压推荐范围：+20V/-5V

特性

SRM7910I的核心优势在于其采用第三代碳化硅半导体材料制造的沟槽栅结构，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的折衷关系（RDS(on) × Qg），从而实现了超低的开关损耗和传导损耗。这种设计使得器件在高频硬开关应用中表现出色，尤其适合用于LLC谐振转换器、图腾柱PFC电路等拓扑结构。相较于平面栅SiC MOSFET，沟槽栅技术有效提升了单位面积载流能力，同时抑制了门极漂移效应，提高了长期工作的可靠性。
　　该器件具备极快的开关速度，得益于其低输出电容和近乎零的反向恢复电荷特性，能够大幅减少开关过程中的能量损耗，避免传统硅器件因体二极管反向恢复引起的电流尖峰问题。这不仅提升了系统的整体能效，还降低了EMI滤波器的设计难度。此外，SRM7910I具有优异的热导率和热稳定性，碳化硅材料本身具有比硅高三倍的热导率，有助于热量从芯片快速传导至散热器，防止局部过热导致的失效风险。
　　在安全与保护方面，SRM7910I内置的体二极管具有正温度系数的导通压降特性，有利于并联使用时的电流均衡；同时，器件具备一定的单脉冲雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其DFN8*8封装采用铜夹连接技术，降低了源极寄生电感，进一步提升开关表现，并支持双面散热设计，满足高功率密度模块化应用需求。综合来看，SRM7910I代表了当前中压碳化硅功率器件的技术先进水平，是替代传统硅基超级结MOSFET的理想选择。

应用

SRM7910I广泛应用于各类高能效电力转换系统中。在通信电源领域，常用于服务器电源、数据中心UPS等高效AC-DC整流模块中，特别是在图腾柱无桥PFC电路中发挥关键作用，可实现超过99%的功率因数校正效率。
　　在新能源汽车方面，该器件被集成于车载充电机（OBC）和DC-DC升压/降压转换器中，支持双向充放电功能，适应宽输入电压范围，提高整车能源利用效率。在光伏发电系统中，SRM7910I可用于组串式或微型逆变器的主开关单元，凭借其高温工作能力和高耐压特性，确保系统在户外复杂气候条件下长期稳定运行。
　　工业自动化设备中的伺服驱动器、变频器也越来越多地采用此类碳化硅MOSFET以缩小体积、降低温升。此外，在储能系统、充电桩、高端家电如变频空调等领域，SRM7910I同样展现出强大的竞争力。其高频工作能力允许使用更小体积的电感和变压器，从而实现系统小型化和轻量化设计目标。