时间：2025/12/25 14:25:49
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SRM2016C12是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用高效率、低成本的工艺设计，广泛应用于电源管理领域。该器件专为开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源以及电机控制等高频应用场景而设计。SRM2016C12具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够在高温环境下稳定工作，适用于对效率和可靠性要求较高的系统中。
该芯片封装形式为TO-220或类似的通孔插装封装，具备良好的散热性能，便于在各类工业和消费类电子产品中进行安装与维护。其结构基于平面栅极技术，结合优化的元胞设计，在保证电气性能的同时降低了制造成本。由于其优异的性价比，SRM2016C12常被用于替代国际品牌同类产品，在国产化替代趋势下得到了广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代绿色电子产品的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压Vds：200V
连续漏极电流Id（@25℃）：16A
脉冲漏极电流Idm：64A
栅源电压Vgs：±30V
导通电阻Rds(on)：120mΩ @ Vgs=10V
导通电阻Rds(on)：150mΩ @ Vgs=10V（最大值）
阈值电压Vgs(th)：3V ~ 5V
输入电容Ciss：1200pF @ Vds=25V
输出电容Coss：350pF @ Vds=25V
反向恢复时间trr：< 100ns
最大功耗Pd：150W
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
SRM2016C12具备出色的电学性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件的典型导通电阻仅为120mΩ（在Vgs=10V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现，尤其适合大电流输出的应用场景。同时，高达16A的连续漏极电流能力使其能够胜任中等功率级别的开关操作，例如在AC-DC适配器、离线式电源和光伏逆变器中作为主开关管使用。
该MOSFET采用了优化的元胞布局和栅极结构设计，有效抑制了米勒效应，提升了开关速度，并减少了开关过程中的能量损耗。其输入电容和输出电容分别控制在合理范围内（Ciss约1200pF，Coss约350pf），有助于降低驱动电路的负担并提升高频工作的稳定性。此外，较短的反向恢复时间（trr < 100ns）意味着体二极管具有较快的响应能力，可减少换流过程中产生的尖峰电压，从而提高系统可靠性。
在热管理方面，SRM2016C12采用TO-220封装，具有较大的金属背板面积，可通过加装散热片实现高效散热。其最大功耗可达150W，结温范围从-55℃到+150℃，确保在恶劣环境条件下仍能安全运行。器件还具备良好的抗雪崩能力和过压保护特性，增强了在瞬态负载变化或异常工况下的鲁棒性。综合来看，SRM2016C12是一款兼具高性能与高可靠性的国产MOSFET解决方案，适用于追求成本效益与本土供应链稳定的项目应用。
SRM2016C12主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于通用交流适配器、充电器、LED照明驱动电源、工业控制电源模块以及小型逆变电源设备。其200V的耐压等级使其适用于整流后母线电压在100V至180V之间的离线式电源设计，常见于宽电压输入（85V~265V AC）的反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中作为主开关器件。
在DC-DC变换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥式拓扑，特别是在需要较高效率和紧凑布局的设计中表现出色。此外，它也广泛用于电机驱动电路，如小功率风机、水泵或电动工具中的H桥驱动单元，利用其快速开关特性和低导通损耗来提升驱动效率并降低温升。
在新能源相关领域，SRM2016C12还可用于太阳能路灯控制器、小型光伏汇流箱内的旁路开关或储能系统的充放电管理模块。由于其具备良好的抗干扰能力和长期工作稳定性，也被应用于通信电源、网络设备供电单元及智能电表等工业级产品中。总体而言，该器件凭借其高性价比和稳定的供货能力，已成为许多国产电源方案中的首选N沟道MOSFET之一。
STP16NF20
FQP16N20
IRFPG50
