型号：SRM20100LM85
　　工作温度范围：-40℃ ~ +85℃
　　存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
　　供电电压：3.3V ±10%
　　最大功耗：≤ 3.5W
　　数据速率：100Gbps（PAM4）/ 50Gbps（NRZ）
　　调制方式：PAM4 / NRZ 可选
　　波长范围：1270nm ~ 1330nm（O-band）
　　接口类型：Lane数 × 4 或 × 8 Lane 配置
　　封装尺寸：10mm × 6mm × 0.8mm
　　封装类型：LGA 或 BGA 封装
　　光接口类型：边缘耦合或透镜光纤对接
　　眼图模板符合：IEEE 802.3ck 标准
　　误码率（BER）：< 1e-12
　　内置温度传感器：支持
　　内置偏置控制环路：支持

SRM20100LM85的核心特性在于其高度集成的硅光子平台设计，将多个关键光学功能单元与电子控制电路集成于单一芯片上，显著降低了系统复杂性和封装成本。该芯片采用硅基调制器结构，基于载流子色散效应实现高速光信号调制，具有低驱动电压（VπL较低）、高带宽（典型≥30GHz）的特点，确保在100Gbps PAM4调制下仍能保持优异的信号完整性。同时，集成的锗硅光电探测器具备高响应度（在1310nm处可达1.0A/W以上）和低暗电流（<10nA），可在宽动态范围内实现高效光信号接收。
　　该芯片内置完整的驱动放大器、跨阻放大器（TIA）及信号调理电路，支持自适应均衡和预加重功能，能够有效补偿信道损耗并提升链路裕量。片上还集成了数字监控接口（如I2C或MDIO），可实时读取工作状态参数，包括温度、偏置电流、输出光功率、误码统计等，便于实现智能诊断与故障预警。此外，SRM20100LM85具备良好的热稳定性设计，在85℃高温环境下仍能维持性能一致性，无需额外制冷措施即可满足工业级和电信级应用需求。
　　得益于其CMOS工艺兼容性，该芯片可与标准化集成电路产线无缝对接，有利于大规模量产和成本控制。同时，它支持多通道并行架构配置，可通过 lane aggregation 技术扩展至400G甚至800G总速率，适用于未来可插拔光模块的技术演进路径。整体而言，SRM20100LM85以其高集成度、高性能和高可靠性的特点，成为构建绿色节能、高密度光互连系统的理想选择。

SRM20100LM85广泛应用于需要高带宽、低延迟和高能效的光通信系统中。其主要应用场景包括数据中心内部的服务器与交换机之间的短距离互联（Intra-data center interconnects），特别是在400GBASE-LR4、800GBASE-LR8等以太网标准对应的光模块中发挥核心作用。该芯片也适用于新一代可插拔光模块，如QSFP-DD、OSFP和COBO封装形式的相干或直连模块，支持长达10公里的单模光纤传输，满足云计算、人工智能训练集群以及超算中心对海量数据吞吐的需求。
　　在5G移动通信基础设施中，SRM20100LM85可用于前传（fronthaul）和中传（midhaul）网络中的光收发单元，实现基站与分布式单元（DU）之间的高速连接。其高温工作能力使其特别适合部署在环境条件较为恶劣的户外基站场景。此外，该芯片还可用于企业级局域网、存储区域网络（SAN）以及高性能计算（HPC）系统中的板级光互连解决方案，替代传统铜缆连接，降低电磁干扰并提升传输距离与速率。
　　随着硅光子技术的发展，SRM20100LM85也被探索用于新兴的共封装光学（CPO, Co-Packaged Optics）架构中，即将光电芯片直接集成在交换ASIC旁边，极大减少电互连长度，从而突破“功耗墙”和“带宽瓶颈”。这种架构对于构建下一代Tb/s级交换系统至关重要。总体来看，该芯片凭借其灵活性、可扩展性和环境适应性，已成为现代高速光网络建设中的关键技术组件之一。

SRM20200LM95
　　AXC100S85-HM
　　GLC100SM85-T